中科君芯JFG8N30G 30V N沟道增强型功率驱动器是种特定的功率场效应晶体管（MOSFET）主要应用电池管理系统和电源，MOSFET由于其低导通电阻、大电流能力和逻辑电平驱动的特性，特别适用于需要高效、大电流驱动的电路，如汽车电子、工业控制等领域‌。其关键参数和特性如下：

功能特性：

• 设备额定电压VDS:=30V,连续工作时漏极电流上限 ID = 8A

• 导通电阻=15mΩ (typ.) 栅源电压= 10V, 漏极电流 = 8A

导通电阻=25mΩ (typ.) 栅源电压= 4.5V, 漏极电流 = 6A

• 专有高密度沟槽技术

符合RoHS和无卤素 （不含卤素或卤素含量极低的材料或产品）

封装： SOP-8L 

绝对最大额定值 ：

‌VDS（Drain-Source Voltage）‌：30V

‌VGS（Gate-Source Voltage）‌：±20V

‌ID（Continuous Drain Current）‌：Tc=25°对应最大漏极电流上限8.9A,Tc=70°对应漏极电流上限最大值7.1A

‌IDM（Pulsed Drain Current）：64A

PD（Total Power Dissipation）‌：TC =25℃ 对应2.15W,TA = 70℃对应0.86W

EAS单脉冲雪崩能量:8mJ

RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)热阻:58°C\W

RθJL:结到壳的热阻:20°C\W

‌TJ‌\TSTG‌:-55 to +150°C

（除非另有说明，TC=25℃）