GLR1205BSI-S250μm 大像素、线阵CMOS图像传感器 

2024年6月14日，长光辰芯发布全新系列芯片——GLR1205BSI-S。GLR是长光辰芯线阵芯片GL中的全新子系列，是基于长方形像素尺寸设计的线阵图像传感器。GLR1205BSI-S作为该系列的首款产品，将助力长光辰芯开辟更多应用领域，例如点激光位移传感器，光谱测量，光学相干断层扫描（OCT）等。GLR系列会陆续推出更多产品以满足多样化的市场需求。

GLR1205BSI-S像素尺寸为12.5μm(H) x 250μm(V)，分辨率512(H) x 1(V)。具备高满阱、高灵敏度、高量子效率、小尺寸等特点。凭借先进的背照式工艺，GLR1205BSI-S在650nm波长下可提供近50%的量子效率，以及95%的峰值量子效率，为点激光位移传感器提供了理想的解决方案，适用于精密零部件测量、薄膜厚度测量、汽车制造、食品加工等各类制造业中。如下所示为GLR1205BSI-S芯片在200nm—1100nm的量子效率曲线。

凭借250μm(V)的大像素尺寸，不仅为芯片提供了高达3000ke-的满阱容量和64.7dB的最大信噪比, 也提升了芯片感光灵敏度，以便于用户在设备装调时进行光斑对准。得益于创新的像素设计，GLR1205BSI-S具备仅2.5μs电荷转移时间，用户无需担心lag性能。

上述优势使其能够用于各种光照条件下的测量场景，实现被测物表面的精准探测，提高设备的测试准确度和精度，提升测量效率。

芯片采用模拟信号输出，用户可以基于MCU模块进行图像数据处理。芯片全速运行状态下提供9.43kHz行频，而功耗仅为90mW，芯片发热量小，可稳定进行长时间测试工作。

芯片封装采用紧凑的CSP形式，封装尺寸仅为7.39mm x 1.15mm，相较于市面同类型产品尺寸更小，有利于用户产品体积的进一步小型化，降低整体设备成本，灵活使用于各个测量场景中。