近日，KLA-Tencor公司推出最新光罩检测技术－晶圆平面光罩检测（Wafer Plane Inspection, WPI）。这款突破性的多功能光罩检测技术，可以在单一系统上寻找光罩所有缺陷、并显示可印刷至晶圆缺陷的技术。WPI 不但能胜任对良率至关重要的32奈米光罩缺陷检测，其运行速度也比先前的检测系统的快40%，并且可能可以缩减检测在整体光罩生产中所占的时间。

    KLA-Tencor 光罩及光掩模检测部副总裁暨总经理Harold Lehon表示：在32奈米技术中，对于以多种模式检测光罩缺陷的需求逐渐增加。有了KLA-Tencor的TeraScanHR系统及其最新的WPI功能，光罩制造商及晶片制造商不但能够寻找所有关键缺陷，还能清楚区分哪些光罩缺陷可能被转移至晶圆的印刷电路上。有了TeraScanHR技术，制造商将能够在光罩检测和晶圆厂良率间建立具成本效益的直接连结。

    高解析度光罩检测技术能够检测到限制优良率的光罩缺陷，也能够检测出不直接限制良率的缺陷。KLA-Tencor的WPI检测技术结合TeraScanHR系统的超高灵敏度影像获取技术，和具有超强计算能力的超级电脑，可以进行最新的计算光蚀演算法。具有高度计算能力的 WPI 技术利用来自光罩（称为「光罩或光罩平面」）的透射、反射光图形和缺陷资讯，来建立全面高解析度的光罩模型。计算光蚀技术运用此高解析度模型，将光罩图案转变为在晶圆上的最终印刷影像（称作 wafer plane）。WPI 的成功有赖于其能够从 TeraScanHR 检测系统获取超高解析度的透射与反射光图形，以精确的数学方法来重建最终的实际光罩图案。WPI 技术还能让光罩制造商筛检出对光蚀有显著影响的缺陷，忽略那些不影响光蚀的缺陷。

    WPI使用KLA-Tencor的TeraScanHR系统提供的透射、反射光产生的高解析度影像。依靠计算与演算法技术所取得的最新进步，可以产品如同在光罩上的精准图案模型。透过光罩影像模型，在系统的超级电脑中对演算法进行处理，以判断如何根据使用者定义的光蚀条件在实际晶圆上印刷光罩图案。这会降低对非印刷缺陷的灵敏度，同时在通常有大量印刷缺陷的「危险」区域展现更高的灵敏度。筛检出印刷缺陷，并且让检测系统不被过多的光罩製造工艺缺陷所淹没，将缺陷检测灵敏度集中于关键区域是非常有效的作法。

    采用业界标准的TeraScanHR光罩检测平台，其先进的软体演算法与影像计算技术提供使用者三个不同平面的影像：光罩平面（reticle plane）、虚像平面（aerial plane）及晶圆平面（wafer plane）。WPI 独一无二的建模演算法还能在关键光罩区域自动增加系统灵敏度，降低晶片良率的缺陷经常出现在这些区域。经由多个KLA-Tencor客户的实地测试证实，相较于需要较小像素的传统检测，WPI 可以在先进制程节点中使用较大的检测像素，降低光罩检测时间高达40%，以提升拥有成本。WPI可满足晶片制造商在关键32奈米技术中对缺陷灵敏度的需求，而且WPI技术正和美国及台湾的领先晶片製造商联合进行beta测试。配备WPI的系统目前已出货给多家客户。

    晶圆平面检测（WPI）技术

    1.光罩图形（pattern）还原是晶圆平面检测程序中的第一步。一种新的计算光蚀演算法将来自检测系统的透射与反射光影像转换为实际光罩图案的模型表示，包括光罩上的图形缺陷（pattern defects）。这个关键的第一步要求使用高解析度透射与反射光影像来对高精度的光罩图案建立模型。光罩还原是最关键的步骤，让 WPI 能够產生高度精准的结果。

    2.中间步骤 — 虚像（aerial image）建模 —使用 193 奈米扫描曝光机的成像程序模型，把上一步还原的光罩图案生成如同光罩在空气中的「虚（aerial）」像。这种独特的建模方法在生成虚像过程中可高度控制并具有灵活性，包括使用任意光源，或实际测量的扫描曝光机的光源光照模型，而不仅仅是理想化的光照模型。

    3.晶圆平面建模与缺陷检测 — 透过计算光阻在哪里曝光，虚像会被转换为光阻或「晶圆」平面影像。当系统在晶圆平面或光阻平面上建立完整光罩影像后，由于几何图形的缺陷讯号与晶圆 CD 误差之间只有在光阻平面上是线性关系，所以缺陷检测便在光阻 (晶圆) 平面上进行。為了实现缺陷检测计算，一种新的演算法将光罩的透射与反射光影像精准转换，表示为如同其在晶圆上出现的影像。由于曝光时间和焦距参数可以灵活地进行离线调整，单独一次检测扫描即可得到跨越许多不同焦点与曝光点的检测结果。

（中国图像网报道）
摘自：互联网