什么是前馈电容？
前馈电容是一个可选的顶容器，与电阻分压器的上半部电阻并联，如图 1 所示。

图 1：使用前馈电容的NMOS低压差稳压器(LDO)

   与降噪电容(C_NR/SS)相似，添加前馈电容具有多种效果。最主要的是降噪，还包括改进稳定性、负荷响应和电源抑制比(PSRR)。（应用报告“使用前馈电容的低压差稳压器的优缺点,”详尽讨论了这些益处。）值得注意的是只有使用可调节LDO时才能使用前馈电容，因为此时电阻网络在外部。

降噪
   LDO进行调节时会使用误差放大器，而误差放大器会使用电阻网络（R1和R2）来提高参考电压的增益，从而驱动FET的栅极，这与同相放大器非常相似。参考的直流电压将增加？？？倍。不过，考虑到误差放大器的带宽，您还可以寄望于参考电压某些交流元件的放大功能。
   通过为电阻分压器上半部分电阻并联电容器，您就针对特定频率范围引入了一个分流器。换言之，您使该频率范围内的交流元件贡献于单位增益，此时R1模拟短路的情况。（请牢记所用电容器的阻抗属性，以便确定该频率范围。）
   如图 2 所示，您可以看到使用不同C_FF值时，TPS7A91的噪声下降效果。

图 2：TPS7A91噪声 vs. 频率和C_FF值

通过为电阻分压器上半部分电阻并联一个100nF电容器，可将噪声从9μV_RMS降至4.9μV_RMS.

改进稳定性和瞬态响应
添加一个C_FF还为LDO反馈环路引入了零点(Z_FF)和极点(P_FF)，它们的计算见等式 1 和 2：

在达到发生单位增益的频率之前就形成零点，可以改善相位裕度，如图 3 所示。

图 3：仅使用前馈补偿的典型LDO的增益/相位图

   您可以看到如果没有Z_FF，单位增益的发生大约将提前约200kHz。通过添加零点，单位增益频率向右移动了一点(~300kHz)，但是相位裕度也增加了。由于P_FF位于单位增益频率的右侧，所以它对于相位裕度的影响也最小。
   在改进LDO的负荷瞬态响应后，将看到相位裕度的明显增加。在相位裕度增加后，LDO输出将减少振铃并更快速稳定。

改善PSRR
   取决于零点和极点的设置，您还可以巧妙减少增益漂移。图 3 显示了零点对从100kHz开始的增益下降的影响。通过提高频段内的增益，您还将改进该频段的环路响应。这会改善该特定频率范围的PSRR。参见图4。

图 4：TPS7A8300 PSRR vs. 频率和C_FF值

   如图所示，增加C_FF电容值，会将零点推向左侧。催生较低频率范围内产生更佳的环路响应和相应PSRR。
当然，您必须选择C_FF值和适当添加零点Z_FF和极点P_FF，这样才不会造成不稳定。遵守上面这个数据表给出的C_FF限值，即可防止不稳定情况的出现。大电容值C_FF会造成前述应用报告介绍的其他问题。
表 1 列出了有关C_NR和C_FF如何影响噪声的经验法则。

表 1：C_NR和C_FF vs 频率

结论
  正如本文论述的那样，添加一个前馈电容可降噪，改进稳定性、负荷响应和PSRR。当然，您必须仔细选择电容器才能维持稳定性。如果采用降噪电容器，交流性能将获得大幅改善。这些是您需要牢记以便优化电源的几个方法。